高能同步辐射光源加速器建设成功

　　记者从中国科学院高能物理所获悉：日前，高能同步辐射光源（HEPS）储存环流强达到12毫安，这是HEPS建设的又一重要里程碑，标志着HEPS加速器进入了调束快行道。

　　HEPS是我国及亚洲首台第四代同步辐射光源，也是全球首批10皮米弧度量级自然发射度的光源之一，其核心是一台具有极低发射度的全新储存环加速器，物理设计极具挑战性。在国际通用的混合多弯铁消色散结构基础上，HEPS加速器设计团队创新性地融合了包含纵向梯度二极铁和反向弯转二极铁的新型单元节等多项创新设计，完成了国际已建及在建同类光源中自然发射度指标最高的储存环设计方案。同时，HEPS还首次提出并采用了基于增强器高能累积的置换注入方案，为高电荷量束团置换注入开辟了新路径。

　　HEPS工程总指挥潘卫民表示，“为了实现国际一流的加速器及光源整体性能，磁铁、电源、真空、注入、机械、准直、高频、束测、控制、定时、插入件等硬件指标要达到第四代光源的高标准和高要求。调束初期，储存环就有1776块磁铁，2500余台电源，578个电子束流位置探测器，1360米真空室，3个高频腔，2台脉冲冲击器和切割磁铁，控制信号超过10万路，任何一个微小的硬件错误，例如一个硬阻拦或设备安装错位，都会影响电子束的轨迹，另外，HEPS与众不同，它有注入和引出两块切割磁铁，垂直物理孔径仅两三个毫米，对调束来说，这无疑是一个巨大的挑战”。