半导体行业专题研究（普通）：HBM3E量产在即，关注国产HBM突破和产业链受益
- 2024-03-10 10:30:41上传人：妞乄**le
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本期内容提要:海外大厂HBM3E量产在即。（1）近日，美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达H200TensorCoreGPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并于2024年第二季度开始出货。美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s的内存带宽。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%。（2）
- 美光开始量产 HBM3E，武汉新芯招标 HBM封装产线
- AI浪潮驱动， HBM先进封装、设备材料产业链环节持续受益
- 投资建议
- 风险因素
- 表 目 录
- 表1：美光HBM3E参数特征
- 表2：不同次代 HBM规格比较
- 图 目 录
- 图1：三星HBM3E 12H产品
- 图2：三大原厂 HBM产品开发进展
- 图3：HBM市场竞争格局
- 图4：HBM芯片工艺流程
- 图5：先进封装解决方案
- 图6：HBM4或将直接堆叠在逻辑芯片之上
- 图7：SK海力士独创 MR-MUF技术
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