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首次覆盖报告：深耕直写光刻领域，充分受益渗透率及国产化率提升
- 2023-03-17 23:10:15上传人：执手**不离
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- 1. 直写光刻领域的国内领军企业，业绩高速增长
- 1.1. 公司产品序列持续丰富，深耕 PCB& 泛半导体领域
- 1.2. 股权激励彰显信心，技术团队底蕴深厚
- 1.3. 营收 &利润高速增长，泛半导体领域占比提升
- 2. PCB 市场大有可为，国产替代步入快车道
- 2.1. 直接成像设备技术指标领先，已成行业主流
- 2.2. 中高端产品占比增加，提升直接成像设备渗透率
- 2.3. 技术指标临近外资水平，国产化率快步提升
- 2.4. 技术领先推动份额提升，加码研发提升产品力
- 3. 泛半导体领域需求多样化，公司版图初露峥嵘
- 3.1. 直写光刻设备国产进步较快，已可满足多领域需求
- 3.2. 直写光刻是掩膜制版中的关键工艺
- 3.3. 先进封装催生新工艺，增加直写光刻设备需求
- 3.4. 面板光刻需求稳中向好，新型显示打开新增量
- 3.5. 光伏铜电镀对直写光刻工艺潜在需求巨大
- 4. 公司积极扩充产能，布局零部件自主可控
- 4.1. 公司扩充产能，凸显对未来发展信心
- 4.2. 布局零部件自主可控，降低生产成本
- 5. 盈利预测
- 6. 风险提示
- 图表 1. 公司产品覆盖微米到纳米的多领域光刻环节
- 图表 2. 公司以直写光刻技术为核心向先进封装、新型显示和光伏等泛半导体领域拓展
- 图表 3. 公司股权结构图（截至 2023 年 Q1）
- 图表 4. 公司核心技术团队拥有丰富的直写光刻领域研发经验
- 图表 5. 公司开展 2022 年股权激励，绑定核心员工助力公司长期发展
- 图表 6. 2018 -2022 年营收 GAGR=65.52%
- 图表 7. 2018 -2022 年归母净利润 GAGR=68 .49%
- 图表 8. 泛半导体领域营收占比稳步提升
- 图表 9. 2018 -2021 年泛半导体设备毛利率高于 55%
- 图表 10. 公司毛利率 /净利率逐渐趋于稳定
- 图表 11. 公司期间费用率下降显著
- 图表 12. 曝光设备是 PCB 制程的核心设备
- 图表 13. 直接成像设备无需使用底片
- 图表 14. 直接成像设备利用计算机生成光学图形
- 图表 15. 直接成像设备较传统曝光设备加工工序简化明显
- 图表 16. 直接成像技术在精度、产能和良率等方面较传统曝光技术有明显优势
- 图表 17. 2021 年全球 PCB 产值达 809.20 亿美元
- 图表 18. 中国大陆 PCB 产值占全球比重超 50%
- 图表 19. 服务器 /汽车 /手机 /通信等细分领域 PCB 产值变化有望推动全球 PCB 产品结构升级（亿美元）
- 图表 20. 高端 PCB 产品占比稳步提升
- 图表 21. PCB 产品曝光精度要求 持续提升
- 图表 22. 预计 2023 年直接成像设备产量将达 1588 台
- 图表 23. 预计 2023 年直接成像设备销售超 9亿美元
- 芯碁微装 (688630.SH) 图表 24. PCB 用直接成像设备行业以国外公司为主，近年来国内公司进步迅速
- 图表 25. 2021 年 CR3 超 60% （百万美元）
- 图表 26. 国产直接成像设备技术指标逐渐达到国际头部厂商水平
- 图表 27. 2020 年国内厂商 IC 载板市场份额为 5.4%
- 图表 28. 2020 年全球 IC 载板行业市场格局
- 图表 29. 国内 PCB 厂商大力推进 IC 载板生产项目
- 图表 30. 2017 -2021 年 GAGR=117.24%
- 图表 31. 2021 年 IC 载板及类载板设备营收 1.07 亿元
- 图表 32. 公司加大对 PCB 阻焊、 IC 载板及类载板等细分领 域的项目投入
- 图表 33. 直写光刻技术无需使用掩膜
- 图表 34. 直写光刻技术光刻精度低于投影式光刻
- 图表 35. 激光直写光刻技术在掩膜制版、先进封装和新型显示等领域具有良好应用前景
- 图表 36. 激光直写光刻领域国产化进度较其他技术路线更为领先
- 图表 37. 国产设备技术指标仍与进口 设备存在差距，但已能满足 IC 封装和显示面板等场景加工需求
- 图表 38. 光刻工艺是掩膜制版中的关键工艺
- 图表 39. 国内是全球显示面板掩膜版第一大市场
- 图表 40. 2022 年全球半导体掩膜市场或达 56亿美元
- 图表 41. 倒装芯片封装采用 IC 载板作为基板
- 图表 42. WLP 采用 RDL 、 TSV 和 Micro -bump 工艺
- 图表 43. 先进封装渗透率持续提升
- 图表 44. 全球平板显示需求持续增长
- 图表 45. Mini LED 面板出货量 21 -24 年 GAGR=50%
- 图表 46. 全球 N 型电池单瓦非硅成本更高（元 /W ）
- 图表 47. 浆料成本占 HJT 电池单瓦非硅成本的 46%
- 图表 48. 铜栅线可实现更优高宽比
- 图表 49. 铜电镀工艺基本工序（以 HJT 电池为例）
- 图表 50. 公司拟定增募投扩充合计 280 台直写光刻设备的产能
- 图表 51. 公司拟对关键子系统 /零部件进行自主研发，实现自主替代及降低成本
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