在信息爆炸的时代,信息存储尤为关键。记者了解到,近期我国科研人员突破了原子级平整反铁磁金属单晶薄膜的关键制备技术,使超快速响应超高密度反铁磁随机存取存储器的研制成为可能,有望大幅提升手机、计算机等信息产品运行速度。
该研究由北京航空航天大学材料学院磁性功能材料研究团队、华中科技大学物理学院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所加工平台合作完成,相关成果19日在国际学术期刊《自然》杂志上发表。
磁性功能材料是大规模数据存储机械硬盘的核心材料,相较于传统半导体存储器,磁存储器件依赖非易失量子自旋属性,储存能力更加稳定。反铁磁材料便是一类新型磁存储材料,作为数据存储介质,相邻数据位可以密排列以提升存储密度,并且可使数据写入速度大幅提升。
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