《科创板日报》1月7日讯尽管目前最先进的光刻机已经可以用于生产2nm芯片,但科学家仍在持续探索以进一步提升光刻机的综合性能,用于产生光源的激光器或成下一个突破口。
近日,据Tom's Hardware报道,美国实验室正在开发一种拍瓦(一种功率单位,表示10^15瓦特)级的大孔径铥(BAT)激光器。据悉,这款激光器拥有将极紫外光刻(EUV)光源效率提高约10倍的能力,或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器。
事实上,这则消息最早可以追溯至上个月。当时美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)在新闻稿中宣称,由该机构牵头的研究组织旨在为极紫外 (EUV) 光刻技术的下一次发展奠定基础,而其中关键即是被称作BAT激光器的驱动系统。
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