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天风电子问答系列汽车电子&第三代半导体核心问答:智能化浪潮下,优质赛道掘金

  1. 2021-12-30 10:20:43上传人:如山**清风
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  汽车市场销量持续下行,市场由增量转向存量竞争,消费升级趋势显现  自2000年国家首次提出“扩大私人购车市场,鼓励轿车进入家庭”以来,中国汽车市场经历十余年快速增长,于2017年连续9年蝉联世界汽车产销量第一。然而,自2018年中国汽车市场销量首次下跌后,市场销量连续三年下滑,进入负增长阶段,往日快速增长的繁华景象不再。  市场负增长背景下,中国汽车市场由增量转向存量竞争,2020年近半数购买

  • 1. 第一章:汽车电子相关核心投资机会有哪些?
  • 2. 第二章:汽车电子核心板块第三代半导体十问十答
  • 2.1. 价值拆解:碳化硅产业链价值量拆解情况?
  • 2.2. 降价趋势:碳化硅下游器件价格趋势情况?与 Si基器件的价差为多少?
  • 2.3. 器件结构:碳化硅各类器件占比情况?不同器件适用的下游应用情况?
  • 2.4. 发展进程:碳化硅降低成本核心是什么?何时迎来综合成本优势及加速成长拐
  • 点?
  • 2.5. 能源测算:碳中和时代下,碳化硅在车载端能带来多少能源节约?
  • 2.6. 车厂布局:使用碳化硅的车厂有多少?预计有多少辆车使用 SiC ?
  • 2.7. 供给测算:国内碳化硅现有产能及未来产能布局情况?海外布局及产能情况? 25
  • 2.8. 需求测算:未来新能源汽车 &光伏需要多少片碳化硅?
  • 2.8.1. SiC 在新能源汽车中 6寸硅片用量预计 年将超过 120 万片
  • 2.8.2. SiC 在光伏领域 6寸硅片用量预计 年将超过 130 万片
  • 2.8.3. GaN 在电力电子 6寸硅片用量预计 年近 70 万片
  • 2.8.4. GaN 在射频中 6寸硅片用量预计 年达顶峰超 4万片
  • 2.9. 技术对比:我国与海外碳化硅产业链各环节的代差有多大?
  • 2.9.1. SiC 衬底:国内以 4寸为主,国际 6英寸 SiC 衬底产品实现商用化
  • 2.9.2. SiC 外延:国际 6英寸产品实现商用化,国内实现 -6英寸商业化产品供给
  • 2.9.3. SiC 器件 &模块:国际 6寸产线工艺成熟,国内不断缩小代差
  • 2.9.4. GaN 单晶衬底:国际产品量产领先,国内综合指标达国际先进水平
  • 2.9.5. GaN 异质外延:国际产品外延片主流为 6英寸,国内基本并跑
  • 2.9.6. GaN 器件及模块:国际电子电力形成批量供货能力,国内产品与国际水平存
  • 在一定差距
  • 2.10. 海外龙头: Wolfspeed 产能 &良率 &财务规划如何?
  • 3. 风险提示
  • 图 1:不同车型汽车电子化程度
  • 图 2:汽车用 FPC 示意图
  • 图 3:SiC 在新能源汽车领域 2027 年带动 60 亿美元市场
  • 图 4:不同车级 IGBT 价值量(人民币)
  • 图 5:激光雷达市场
  • 图 6:L1-L5 汽车需要用到的传感器数量
  • 图 7:Si前道工序平均成 本结构( ),衬底占比为 7%
  • 图 8:SiC MOSFET 前道工序平均成本结构( %)
  • 图 9:2021 年 12 月 SiC 二极管平均单价
  • 图 10 :2021 年 12 月 SiC 和 GaN 晶体管平均单价(含 13% 增值税)(单位:元)
  • 图 11 :SiC 各类器件占比情况, 2019 年二极管占比较高,未来模组占比会接近 50%
  • 图 12 :各 SiC 器件优势及不足
  • 图 13 :功率器件主要应用场合电压及电 流要求
  • 图 14 :SiC 二极管分类别器件结构
  • 图 15 :SiC MOSFET 器件新结构
  • 图 16 :新能源汽车 SiC 使用情况
  • 图 17 :V2X 定义
  • 图 18 :SiC 器件在光伏市场的发展情况
  • 图 19 :2017 年-2020 年 650V 的 SiC SBD 价格持续下降 (元 /A)
  • 图 20 :2017 年-2020 年 1200V 的 SiC SBD 价格持续下降 (元 /A)
  • 图 21 :SiC 生产制造流程中的挑战使 SiC 价格高昂
  • 图 22 :SiC 生产制造设备的挑战
  • 图 23 :高温单晶生长炉
  • 成本下降逐步与 相当 4)抛光成本下降逐步与 Si相当
  • 本每年以 10% -20% 的速度下行
  • 点、 2024 年开启加速增长、 2026 年开始全面使用
  • 图 27 :SiC 在汽车电驱、 OBC 、DCDC 的发展预判
  • 图 28 :部分整车厂及 Tier1 引入 SiC 情况
  • 图 29 :整车厂及 Tier1 引入 SiC 具体应用情况
  • 图 30 :Telsa SiC 合作情况
  • 图 31 :主要汽车企业的 SiC 使用的速度情况
  • 图 32 :WOLFSPEED 产能预测
  • 图 33 :SiC 在下游应用市场情况
  • 图 34 :SiC 在下游应用增速情况
  • 图 35 :SiC 在新能源汽车中晶圆面积用量情况
  • 图 36 : SiC 器件在新能源汽车的优势
  • 图 37 :我国新能源汽车销量测算(万辆)
  • 图 38 :国内新能源汽车 SiC 硅片需求量测算(片)
  • 图 39 :2022 年全球光伏装机需求占比 (%)
  • 图 40 : 全球、国内光伏逆变器新增装机量及国内增速( GW ,%)
  • 图 41 :2020 -2025 年国内光伏逆变器市场空间及增速 (亿元, %)
  • 本每年以 10% -20% 的速度下行
  • 图 43 :PD 快充 GaN 电力电子器件市场规模(亿元)
  • 图 44 :PD 快充 GaN -on -Si晶圆需求量(万片)
  • 图 45 : 5G 宏基站 GaN 晶圆需求量(万片)
  • 图 46 :国际 SiC 衬底技术指标进展
  • 图 47 :国内 SiC 衬底技术指标进展
  • 图 48 :国际上已经商业化的 SiC SBD 的器件性能
  • 图 49 :国际已经商业化的 SiC 晶体管器件性能
  • 图 50 :国际上已经商业化的 GaN 电力电子器件性能
  • 图 51 :国际上商业化的 GaN 射频产品性能
  • 图 52 :Wolfspeed 功率器件的发展历程
  • 片/年,在 2024 年扩张至 69.4 万片 /年
  • 图 54 :WOLFSPEED 裸 DIE 工厂
  • 图 55 :WOLFSPEED10 亿美元投资分配
  • 图 56 :WOLFSPEED DIE 产出量预测从 6寸演进到 8寸
  • 图 57 :WOLFSPEED 8 英寸晶圆化学化学机械抛光( CMP )后的表面良率
  • 图 58 :WOLFSPEED 专利数量统计
  • 图 59 :WOLFSPEE D营收增速将超过第三代半导体的市场增速
  • 图 60 :WOLFSPEED 预计 2025 年后毛利率超过 50%
  • 表 1:SiC 及 GaN 终端器件价格变化趋势
  • 表 2:我国与海外 SiC&GaN 产业链各环节的代差
  • 表 3:2025 中国高速连接器市场规模预测
  • 表 4:SiC 及 GaN 终端器件价格变化趋势
  • 表 5:整车厂引入 SiC 应用及供应情况
  • 表 6:OEM 厂商 SiC 上车规划
  • 表 7:Tier1 企业 - SiC 逆变器 应用推进情况
  • 表 8:2020 年国内晶圆制造 SiC 产线
  • 表 9:国内 GaN 晶圆制造产线
  • 表 10 :2020 年我国 SiC 产能统计
  • 表 11 :2020 年我国 GaN 产能统计
  • 月)
  • 表 15 :国际主要企业 SiC 布局情况
  • 表 16 :国内光伏领域 SiC 晶圆需求测算
  • 表 17 :我国与海外 SiC&GaN 产业链各环节的代差
  • 表 18 :国外 SiC 单晶生长主要企业及 8寸衬底产品进展
  • 表 19 : 2020 年国际企业新推出的 SiC MOS FET 产品
  • 表 20 : 2020 年国际企业新推出的 SiC MOSFET 产品
  • 表 21 : 2020 年国际企业新推出的 SiC 功率模块产品
  • 表 22 :2020 年国际企业推出的 GaN 射频产品

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