建设用地规划许可-宁波高新区升谱光电基于第三代半导体的高端光器件和智能传感器研发与制造项目
审批文号:地字第330254202200006号审批文件:建设用地规划许可发证日期:2022年4月21日建设单位(个人):宁波升谱光电股份有限公司建设项目名称:宁波高新区升谱光电基于第三代半导体的高端光器件和智能传感器研发与制造项目用地位置:东至规划绿地、南至菁华路、西至梅墟路、北至规划绿地用地性质:工业用地(M1)
098半导体器件制造行业研究是指对行业本身进行深入分析和调查的过程。它旨在了解和评估半导体器件制造行业的发展趋势、市场规模、竞争态势、关键成功因素、供应链结构等方面的情况。 半导体器件制造行业研究可以帮助投资者、企业决策者和政策制定者更好地理解行业的现状和未来发展趋势,从而做出明智的投资、经营和政策选择。 半导体器件制造行业研究通常包括收集和分析大量数据、进行市场调研、进行竞争分析、跟踪监测行业动态等工作。相关报告
审批文号:地字第330254202200006号审批文件:建设用地规划许可发证日期:2022年4月21日建设单位(个人):宁波升谱光电股份有限公司建设项目名称:宁波高新区升谱光电基于第三代半导体的高端光器件和智能传感器研发与制造项目用地位置:东至规划绿地、南至菁华路、西至梅墟路、北至规划绿地用地性质:工业用地(M1)
098审批文号:建字第330254202200023号审批文件:建设工程规划许可证批复机关:宁波市自然资源和规划局发证日期:2022年12月30日建设单位(个人):宁波升谱光电股份有限公司建设项目名称:宁波高新区升谱光电基于第三代半导体的高端光器件和智能传感器的研发与制造项目建设位置:东至规划绿地、南至菁华路、西至梅墟路、北至规划绿地建设规模:总建筑面积88348.82平方米
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