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12月16日，省科技厅组织有关专家对晶能光电（江西）有限公司承担的省重大研发专项“硅衬底紫外LED外延、芯片、封装及模组关键技术研究及产业化”项目开展验收。专家组在听取项目汇报、开展现场考察、审阅相关资料、充分质询讨论后，一致同意通过验收。该项目基于具有自主知识产权的硅衬底LED路线，开发了4英寸硅衬底上近紫外LED材料生长、芯片设计、器件工艺和光源封装等全链条创新技术，在光效、良率、可靠性等关键性能方面已达到国际先进水平。硅衬底LED技术和工艺采用比较成熟的化学湿法无损去除衬底，在芯片可靠性和良品率上具有明显的优势，制得的垂直结构能更好满足近紫外LED应用对大功率电流扩散、单面出光光束集中等
12月16日，省科技厅组织有关专家对晶能光电（江西）有限公司承担的省重大研发专项“硅衬底紫外LED外延、芯片、封装及模组关键技术研究及产业化”项目开展验收。专家组在听取项目汇报、开展现场考察、审阅相关资料、充分质询讨论后，一致同意通过验收。
该项目基于具有自主知识产权的硅衬底LED路线，开发了4英寸硅衬底上近紫外LED材料生长、芯片设计、器件工艺和光源封装等全链条创新技术，在光效、良率、可靠性等关键性能方面已达到国际先进水平。硅衬底LED技术和工艺采用比较成熟的化学湿法无损去除衬底，在芯片可靠性和良品率上具有明显的优势，制得的垂直结构能更好满足近紫外LED应用对大功率电流扩散、单面出光光束集中等要求。
（图片为该项目相关的硅衬底紫外LED产品展示）
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