英开发出基于自旋电子技术的3D存储芯片

    据美国每日科学网1月31日（北京时间）报道，英国剑桥大学的科学家开发出一种新型3D存储芯片。目前的存储芯片多为平面结构，数据只能前后左右移动，而这种3D存储芯片可实现数据在三维空间中的存储和传递，将大幅提高目前存储设备的存储能力。相关论文发表在1月31日出版的《自然》杂志上。

    论文合著者、剑桥大学博士雷纳德·拉沃瑞森说，目前大多数存储芯片都如同平房一样，所有一切都发生在同一层面上。而新研究像是建造了一栋楼房，并在各个楼层间架设了楼梯，帮助数据在不同楼层间实现传递。

    传统上，存储芯片采用电子保存数据，硬盘中采用磁性记录数据，这次研究将这两种方法进行了融合。剑桥大学的科学家使用了一种被称为自旋电子芯片的微芯片，即电子功能基于引起磁性的电子旋转，而不是传统微芯片使用的电荷。自旋电子正在越来越多的被用于计算机，人们普遍认为，未来几年中，它们将成为标准的存储芯片。