国产光电子芯片部分领域全球领跑，行业仍临挑战

　　光子信息技术作为21世纪的战略性先导技术，是人工智能、5G、物联网等众多新兴产业领域的基础设施，也是我国在第四次科技革命中实现“换道超车”的重大机遇。记者从近日举行的中关村光电子集成产业发展研讨会上获悉，我国光电子领域发展迅猛，国内光电子芯片企业在部分细分领域已实现国际领跑。

　　济南晶正电子科技有限公司总经理胡文透露，作为全球薄膜铌酸锂行业的领跑者，公司在光学晶体和半导体领域有着丰富的经验，已在国际上率先开发出并产业化300至900纳米厚度铌酸锂单晶薄膜材料产品，市场占有率国际领先。他称，多功能、可集成化、低功耗的光子芯片关键基础材料是光子集成的基础，作为光子芯片领域的“光学硅”，薄膜铌酸锂具有频带宽、稳定性好、传输损耗小等突出优点，正是攻克低损耗、高品质、高集成度光学芯片的关键基础材料，将在通信、数据中心、传感、量子信息等领域发挥重要作用。

　　中科鑫通微电子技术（北京）有限公司总裁隋军介绍，作为国内在“多材料，跨尺寸”光子芯片工艺技术具有领先优势的创新型科技企业，公司拥有独立自主研发的晶圆级薄膜铌酸锂和氮化硅代工工艺和标准器件库，已成功自主研发4英寸薄膜铌酸锂光子晶圆和8英寸氮化硅光子晶圆。公司目前拥有自主研发的多材料光子晶圆制造工艺和标准器件库，能够为我国光子领域的各类企业机构提供薄膜铌酸锂、氮化硅等多材料光子晶圆的代工服务。