氮化镓应用拓展 向多个市场持续推进

　　以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体，已在功率电子领域闯出一片天下。其中，碳化硅更适应高压、大电流的应用场景，制霸新能源汽车市场，产值远超主攻中低电压市场的氮化镓。而近年来，氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。

　　英诺赛科产品应用总监邹艳波表示，过去三年氮化镓的性能获得大幅提升，并且随着技术的迭代和规模效应发挥，成本与跟硅器件接近，特别是形成系统方案之后，整体的成本已经可以为客户带来收益。据了解，英诺赛科拥有全球量产8英寸硅基氮化镓的平台，产品已经覆盖15V到700V。相对于6英寸的平台，8英寸单片晶圆器件可以增加80%，单颗产品就具备30%的成本优势。

　　在数据中心、光伏逆变器、汽车、通信电源等市场，对产品功率密度、能效、开关频率、热管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，正好满足了各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。