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2025-2030年全球与中国反癸烯基三氟硼酸钾行业市场现
2025-08-11
金属与材料行业研究周报：大厂入局，氮化镓功率半导体迎来新增长点
- 2023-09-11 14:21:05上传人：丿S**el
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- 料迎发展窗口期》 2023 -09-02
- 3 《 金 属 与 材 料 -行 业 研 究 周 报 :海外
- PMI 低于预期推升金价，宏观预期提振
- 基本金属价格》 2023 -08-27
- 行业走势图
- 大厂入局，氮化镓 功率半导体迎来新增长 点
- 大厂纷纷入局氮化镓功率器件市场。 日本 东芝旗下的东芝器件 与 存储 公司 发布首款 氮
- 化镓功率器件 ； 美国半导体器件公司 Odyssey 发布的 垂直结构 氮化镓器件最高工作
- 电压可达 1200V ，且具有更高的品质因数和工作频率。 ROHM 公司发布栅极驱动器
- 和氮化镓 HEMT 一体化封装 产品， 可以替代现有的 Si MOSFET ，从而使器件体积减少
- 99% ，功率损耗降低 55% 。
- 氮化镓：第三代半导体代表 。 随着 5G 技术、汽车、无线通信、航天航空等技术的
- 高速发展，电气化程度的提高对耐高温、耐高压、高频及大功率的性能有着迫切需求。
- 氮化镓作为第三代宽禁带半导体的代表之一，拥有宽禁带、高击穿场强、高热导率和
- 高电子漂移速率等优点，制备出的氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好，
- 而且在散热、能耗、体积等方面也有着很大的优势，可以极大地提升新兴电力电子器
- 件的性能，还能达到节省能源的效果 。
- 氮化镓功率器件正在快速取得技术突破 。为获得性能更优的氮化镓器件以抢占市场份
- 额，各大厂商正在在垂直型结构和提高集成度等方向上寻求技术突破 。随着氮化硅功
- 率器件的性能及性价比 的进一步提升，未来在高、中、低电压场景下都将有很大的发
- 展潜力，看好其在汽车电气系统、大规模集成电路、无线通讯等领域的发展 。
- 风险提示： 技术发展不及预期的风险；行业竞争加剧的风险；政策风险 。
- 25%
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- 金属与材料 沪深 300
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