半导体芯片迎大突破！全新铁电晶体管更小、更快、更节能

　　最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”，这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂，这些设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。

　　铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应和电荷积累，实现了长期稳定的记忆效应。

　　与传统存储器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此，一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使用阈值，并提高速度。