存储芯片巨头竞逐HBM 新品发布成美光股价助推器

　　《科创板日报》7月28日讯当地时间周四（7月27日），存储芯片大厂美光科技（MU.US）涨超5%，单日涨幅创6月以来新高。同日费城半导体指数涨1.86%。

　　消息面上，7月26日，美光宣布推出业界首款8层24GB HBM（高带宽内存）3 Gen2内存芯片，它是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。这意味着美光成为业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。

　　这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。