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半导体行业深度报告:存储器——让数字世界拥有记忆

  1. 2023-11-08 18:06:48上传人:Bl**l.
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传媒体育行业周报20161017

  • 1. 存储器周期复苏或将至,存储器厂商有望获取较大的盈利弹性
  • 1.1. 存储器周期在半导体细分领域中波动最大,是影响半导体周期变化的主要因素
  • 1.2. 存储器价格触底回升,周期复苏或将至
  • 1.3. 存储器厂商有望在新一轮上行周期中获取较大的盈利弹性
  • 2. 海外巨头主导全球半导体存储器市场,国内厂商加速发展
  • 2.1. 半导体存储器市场以 DRAM 和 NAND Flash 为主,主要晶圆厂采用 IDM 模式
  • 2.2. 海外三巨头主导全球 DRAM 颗粒市场, DRAM 晶圆设计与制造行业壁垒高
  • 2.2.1. 海外三巨头主导全球 DRAM 颗粒市场,国内厂商积极布局利基型市场
  • 2.2.2. DRAM 晶圆设计与制造行业具有极高的技术和资本壁垒
  • 2.3. NAND Flash 颠覆摩尔定律, NAND Flash 晶圆设计与制造行业壁垒高
  • 2.3.1. NAND Flash 颠覆摩尔定律,全球前五大厂商统治 NAND Flash 颗粒市场
  • 2.3.2. NAND Flash 晶圆设计与制造行业具有极高的技术和资本壁垒
  • 2.4. 全球前三大厂商主导 NOR Flash 市场,下游应用领域相对分散
  • 2.5. IDM 厂商主导全球存储器模组市场,国内厂商在第三方模组市场崛起
  • 2.5.1. IDM 厂商聚焦大宗市场,第三方存储器模组厂商定位于细分行业市场客制化需求
  • 2.5.2. IDM 厂商主导全球内存条市场,金士顿在全球第三方市场一家独大,国内厂商正
  • 在崛起
  • 2.5.3. IDM 厂商主导全球 NAND Flash 模组市场,国内厂商已在第三方市场崛起
  • 2.5.4. 国内存储器模组厂商不断建立竞争优势,有望持续提升市场份额
  • 3. AIGC 带动 HBM 高速成长,新型存储器推动存算一体技术迭代
  • 3.1. 存储墙限制 AI 技术的发展和应用
  • 3.2. HBM 突破内存带宽与容量瓶颈, AIGC 推动 HBM 高速成长
  • 3.3. 新型存储器推动存算一体技术创新与迭代,迎来黄金发展机遇
  • 3.3.1. 相变存储器性能突出,商业化进展不佳
  • 3.3.2. 国际巨头推动磁性存储器商业化快速发展
  • 3.3.3. 阻变存储器是实现存算一体的最佳方案之一,众多知名厂商加速推动商业化进程
  • 3.3.4. 美日厂商推动铁电存储器( FRAM )发展
  • 3.3.5. 新型存储器推动存算一体技术创新与迭代
  • 4. 投资建议
  • 5. 风险提示
  • 图 1: 2000 -2023 年全球半导体市场月度销售额情况
  • 图 2: 1999 -2022 年全球存储器销售额及占半导体销售额比重情况
  • 图 3: 1999 -2023 年全球半导体不同细分领域销售额同比增速情况
  • 图 4: 2016 -2023 年 DRAM 现货价格走势情况(美元)
  • 图 5: 2016 -2023 年 NAND Flash 现货 /合约价格走势情况(美元)
  • 图 6: 2020 -2023 年全球智能手机季度出货量情况
  • 图 7: 2018 -2023 年全球 PC 季度出货量情况
  • 图 8: 2008Q4 -2023Q3 年全球主要存储器厂商毛利率与净利率情况
  • 图 9:半导体存储器分类图
  • 图 10 : 2021 年全球半导体存储器细分市场占比情况
  • 图 11 : 2022 年全球存储器市场需求地区分布情况
  • 图 12 :存储器产业链结构图
  • 图 13 : DRAM 存储单元内部结构图
  • 图 14 : DRAM 芯片内部架构图
  • 图 15 : DRAM 分类结构图
  • 图 16 :主要 SDRAM 技术演进情况
  • 图 17 : 2018 -2022 年不同 DRAM 类型应用占比情况
  • 图 18 : 2016 -2022 年全球 DRAM 市场规模情况
  • 图 19 : 2021 年全球 DRAM 颗粒市场竞争格局情况
  • 图 20 : 2018 -2021 年全球 DRAM 下游市场占比情况
  • 图 22 :全球前三大 DRAM 晶圆原厂工艺制程技术发展路线图
  • 图 23 : DRAM 内部结构图
  • 图 24 : DRAM 工艺制程微缩发展及预测
  • 图 25 : 基于浮栅技术和电荷俘获技术的 NAND Flash 存储单元内部结构图
  • 图 26 : 2013 -2022 年 NAND Flash 价格趋势情况
  • 图 27 : 2014 -2032 年 NAND Flash 存储密度及预测情况
  • 图 28 : NAND Flash 扩展存储容量的四种途径
  • 图 29 : NAND Flash 根据工艺技术的分类情况
  • 图 30 : NAND Flash 根据空间结构的分类情况
  • 图 31 :美光 3D NAND Flash 规划不断提升堆叠层数
  • 图 32 : 2012 -2022 年全球 NAND Flash 市场规模情况
  • 图 33 : 2021 年全球 NAND Flash 颗粒市场竞争格局情况
  • 图 34 : 2018 -2021 年全球 NAND Flash 市场下游应用领域情况
  • 图 35 : 2017 -2024 年全球 SLC NAND Flash 市场规模及预测情况
  • 图 37 : 存储单元不同存储数位量每个存储状态的电子数量情况
  • 图 38 :全球前五大 NAND Flash 厂商技术路线情况
  • 图 39 : 3D NAND Flash 制造挑战
  • 图 40 : NOR Flash 内部的布线和结构
  • 图 41 : NAND Flash 内部的布线和结构
  • 图 42 : ETOX 工艺存储单元内部结构图
  • 图 43 : SONOS 工艺存储单元内部结构图
  • 图 44 : 2015 -2021 年全球 NOR Flash 市场规模情况
  • 图 45 : 2018 -2020 年 NOR Flash 主要厂商市场份额情况
  • 图 46 : 2018 -2021 年全球 NOR Flash 下游市场占比情况
  • 图 47 : DRAM 模组产业链结构图
  • 图 48 : NAND Flash 模组产业链结构图
  • 图 49 : DRAM 颗粒在手机主板应用示意图
  • 图 50 :内存条在 PC 上应用示意图
  • 图 51 : PC DDR5 内存条结构图
  • 图 52 :服务器 DDR5 内存条结构图
  • 图 53 : 2018 -2021 年全球第三方内存条市场规模情况
  • 图 54 : 2022 -2028 年全球内存条出货量预测(百万支)
  • 图 55 : 2023 年 618 器件光威内存条销量突破 10 万支
  • 图 56 :光威 32GB DDR5 6400 内存条具有较高性价比
  • 图 57 : 2021 -2028 年全球内存接口芯片及配套芯片市场规模预测情况
  • 图 58 : 2018 -2021 年全球 NAND Flash 主要产品形态市场规模占比情况
  • 图 59 : SATA 接口固态硬盘内部结构图
  • 图 60 : eMMC 内部结构示意图
  • 图 61 : 2022 -2028 年全球固态硬盘出货量预测情况
  • 图 62 : 2022 年全球消费级与企业级 SSD 出货量占比情况
  • 图 63 : 2021 年全球固态硬盘市场份额情况
  • 图 64 : 2021 年全球第三方固态硬盘市场份额情况
  • 图 65 : 2021 年全球 eMMC 及 UFS 市场份额情况
  • 图 66 : 2021 -2027 年全球 NAND Flash 主控芯片市场规模预测
  • 额预测情况
  • 图 68 : 2021 年全球第三方 NAND Flash 主控芯片厂商市场份额情况
  • 图 69 :冯诺伊曼架构示意图
  • 图 70 :现代计算系统存储器结构及存储墙
  • 图 71 :处理器性能进步受到存储器传输数据能力的阻碍
  • 图 72 : AI 大模型训练数据量呈指数级增长
  • 图 73 : ChatGPT 工作原理
  • 图 74 : AI 大模型的参数量与 GPU 内存容量的增长趋势
  • 图 75 : GPU 的计算能力与传输带宽的增长趋势
  • 图 76 : AMD GPU 上 HBM 应用 3D 示意图
  • 图 77 : HBM 与 GDDR5 性能参数比较
  • 图 78 : DRAM 裸片之间用 TSV 技术连接示意图
  • 图 79 : HBM 与 GDDR5 相比面积更小、离 GPU 更近
  • 图 80 : SK 海力士四代 HBM 产品规格比较
  • 图 81 : 2022 -2024 年各代 HBM 产品市场需求占比情况
  • 图 82 :美光 DRAM 技术路线情况
  • 图 83 :三星 DRAM 技术路线情况
  • 图 84 : 2022 年全球 HBM 市场竞争格局情况
  • 图 85 : 2022 -2026 年全球 AI 服务器出货量预测情况
  • 图 86 : 2023 -2024 年全球 HBM 市场规模预测情况
  • 图 87 :存储器的技术演进路线主要取决于应用场景的变化
  • 图 88 : 4种新型存储器参数对比
  • 图 89 : PCM 原理
  • 图 90 :集成在 ST MCU 中的嵌入式 PCM 内部结构示意图
  • 图 91 : 3D XPoint 工作原理示意图
  • 图 92 :磁隧道结的核心结构及隧穿磁阻效应
  • 图 93 : MRAM 原理图
  • 图 94 : eMRAM 与 eFlash 相比性能突出
  • 图 95 : MRAM 的发展现状
  • 图 96 : MRAM 的 4大应用领域
  • 图 97 : 2020 -2026 年嵌入式 MRAM 的市场规模
  • 图 98 : ReRAM 原理
  • 图 99 : Crossbar ReRAM 的电阻切换机制
  • 图 100 : Crossbar 的新型 3D 堆叠 ReRAM
  • 图 101 : ReRAM 应用于计算单元构建存算一体架构应用示意图
  • 图 102 :使用 ReRAM 实现边缘 AI 推理单芯片解决方案
  • 图 103 : FRAM 原理
  • 图 104 : FRAM 内部结构图
  • 图 105 : FRAM 应用场景广泛
  • 图 106 :新型存储器为实现存算一体解决方案之一
  • 表 1:本轮下行周期海外存储龙头厂商产出及资本支出调整计划情况
  • 表 2: 2021 年全球第三方内存条供应商市场竞争格局情况
  • 表 3:国内主要存储模组厂商竞争优势比较情况
  • 表 4:重点关注公司估值表(截止 2023 年 11 月 3日)

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