存储芯片行业展开新一轮技术升级竞争

几家逻辑IC厂商之间的竞争使得7nm、5nm、3nm……制造工艺尽人皆知。但是人们不应忽视存储芯片厂商间的技术之争同样极其激烈：3D NAND堆叠已经上看128层，DRAM工艺微缩已达1z(12-14nm)，3D XPoint、ReRAM等新一代存储技术被重点开发。技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。日前，笔者参加了美光科技举办的技术大会“Mircon Insight2019”，会上对存储领域新的技术趋势进行了相对深入的剖析。从此亦可窥见，存储芯片大厂间的新一轮技术升级之争正在展开。

技术升级加速

技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。