氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展

2022-12-13 11:15:10上传人：故城**人存
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科技日报兰州12月11日电（记者颉满斌）11日，记者从中国科学院近代物理研究所获悉，该所科研人员及合作者利用美国阿贡国家实验室充气谱仪AGFA（ArgonneGas-FilledAnalyzer）成功合成超镄新核素铹-251，并对铹-253的α衰变精细结构进行了测量。这是近二十年来科研人员首次直接合成的铹的新同

科技日报合肥12月12日电（记者吴长锋）12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEEIEDM）上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。

IEEEIEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。

如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。龙世兵课题组基于氧化镓异质PN结的前期研究基础，将异质结终端扩展结构成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。优化后的器件实现了2.9mΩ·cm^2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52GW/cm^2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件正向偏压2V下电流密度达到180A/cm^2，反向击穿电压高达1.3kV。