近日从合肥工业大学获悉,该校首次制备出大晶粒非层状结构的硒化镍薄膜,并成功将其构筑为光探测器阵列,为新一代柔性图像传感器的研发提供了新的方法。相关成果日前发表在国际材料领域权威期刊《先进材料》上。 未来可穿戴智能设备要求图像传感器具有柔性,可以弯曲折叠,而目前在数码相机中广泛应用的集成图像传感器,由于其硅基底不具有柔性,难以满足未来需求。而柔性低维材料被认为是硅基底的理想替代者。
近日从合肥工业大学获悉,该校首次制备出大晶粒非层状结构的硒化镍薄膜,并成功将其构筑为光探测器阵列,为新一代柔性图像传感器的研发提供了新的方法。相关成果日前发表在国际材料领域权威期刊《先进材料》上。
未来可穿戴智能设备要求图像传感器具有柔性,可以弯曲折叠,而目前在数码相机中广泛应用的集成图像传感器,由于其硅基底不具有柔性,难以满足未来需求。而柔性低维材料被认为是硅基底的理想替代者。
该校材料科学与工程学院王敏教授和陈翌庆教授团队与韩国成均馆大学科研人员合作,提出了一种新的界面限域外延生长方法,成功制备出高质量大晶粒非层状结构硒化镍薄膜。课题组通过硒化镍微米带阵列的图形化生长,构筑高性能且均匀性好的光探测器阵列,为柔性图像传感器的实现奠定了基础。