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金属新材料行业专题报告:碳化硅:第三代半导体之星

  1. 2023-04-17 15:35:51上传人:遗忘**en
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  耐高温高压高频,碳化硅电气性能优异  碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势,可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求,主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件,下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。  工艺难度大幅增加,长晶环节是瓶颈  碳化硅制造工艺具有高技术壁垒,衬底长晶存在条件控制严、长晶速

  • 1 耐高温高压高频,碳化硅电气性能优异
  • 2 工艺难度大幅增加,长晶环节是瓶颈
  • 2.1 衬底:晶体生长为最核心工艺环节,切割环节为产能瓶颈
  • 2.1.1 晶体生长:条件控制严、长晶速度慢和晶型要求高为主要技术难点
  • 2.1.2 晶体加工:切片和薄化为主要技术难点
  • 2.2 外延:器件性能决定因素,厚度与掺杂浓度为关键因素
  • 3 下游应用场景丰富,新能源带来最大增长点
  • 3.1 导电型碳化硅器件:新能源汽车为最大终端应用市场
  • 3.2 半绝缘型碳化硅器件: 5G 时代的强大心脏
  • 4 碳化硅供需缺口持续扩大,海内外厂商加速研发扩产
  • 4.1 供给端:海外龙头主导出货量,全球有效产能仍不足
  • 4.2 需求端:下游需求不断扩大,百亿市场空间可期
  • 5 欧美日厂商占据龙头,国产技术革新任重道远
  • 5.1 Wolfspeed
  • 5.2 英飞凌
  • 5.3 意法半导体
  • 5.4 罗姆
  • 5.5 合盛硅业
  • 5.6 天岳先进
  • 5.7 三安光电
  • 6 风险提示
  • 行业专题
  • http:// www .stocke.com.cn 3/23 请务必阅读正文之后的免责条款部分
  • 图 1: 半导体材料性能对比及碳化硅器件特性
  • 图 2: 碳化硅产业链全景图谱
  • 图 3: 碳化硅衬底工艺流程
  • 图 4: 4H -导电型碳化硅单晶衬底
  • 图 5: DISCO 研发的激光切片技术相较于现有技术的优势
  • 图 6: 4H -SiC 衬底和外延示意图
  • 图 7: EPIGRESS 公司的热壁式外延设备反应腔结构图
  • 图 8: 厚度为 30um 的 4H -SiC 外延层 SEM 截面图像
  • 图 9: 3、4和 6英寸碳化硅外延晶片
  • 图 10 : 碳化硅器件的下游应用领域
  • 图 11: 两类碳化硅器件的不同终端应用领域
  • 图 12 : 2021 年导电型碳化硅功率器件下游应用占比
  • 图 13 : 2027 年导电型碳化硅功率器件下游应用占比预测
  • 图 14: 碳化硅器件在电动汽车领域的应用
  • 图 15 : 特斯拉 Model 3 采用碳化硅 MOSFET 器件
  • 图 16 : 不同电压平台下, SiC 和 Si 基逆变器的损耗
  • 图 17 : 小鹏 G9 搭载了国内首个量产的车端 800V 高压 SiC 平台
  • 图 18 : 我国新能源充电桩数量存在较大缺口
  • 图 19 : 2026 年碳化硅在汽车各部件的价值占比预测
  • 图 20 : SiC MOS 应用于光伏逆变器可带来更低的损耗和更高的频率
  • 图 21 : 2020 -2050 年碳化硅功率器件在光伏逆变器的渗透率
  • 图 22 : 碳化硅的单位面积导通电阻远小于硅器件
  • 图 23 : Dan foss 和美国田纳西大学联合开发的 12.4kV 光伏并网变换器
  • 图 24 : 碳化硅模块的开关和导通损耗均优于传统硅模块
  • 图 25 : 2018 -2050 年轨道交通中碳化硅功率器件渗透率
  • 图 26 : 不同材料微波射频器件的应用范围对比
  • 图 27 : 碳化硅基氮化镓在 5G 中的应用
  • 图 28 : 2018 年全球导电型碳化硅衬底市场份额
  • 图 29 : 2020 年全球半绝缘型碳化硅衬底市场份额
  • 图 30 : 碳化硅器件发展历程
  • 图 31 : 2021 -2025 碳化硅衬底市场空间 (亿元 )
  • 图 32 : 2021 -2025 碳化硅器件市场空间 (亿元 )
  • 图 33 : 全球碳化硅市场竞争格局
  • 图 34 : Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 和裸芯片
  • 图 35 : 英飞凌 48V 车规级功率 SiC MOSFET
  • 图 36 : 意法半导体 SiC MOSFET 系列产品
  • 图 37 : 罗姆第四代 SiC MOSFET 和栅极驱动器 IC
  • 图 38 : 合盛新材料 4H -N型 SiC 衬底产品
  • 图 39 : 天岳先进导电型碳化硅衬底
  • 图 40 : 三安光电 SiC MOSFET 应用于车载 DC/DC 变换器和 OBC
  • 表 1: 不同半导体材料性能对比
  • 表 2: 三种碳化硅衬底制作方法对比
  • 表 3: 国内厂商碳化硅衬底产能
  • 表 4: 碳化硅在新能源车下游应用领域的市场空间
  • 表 5: 碳化硅在光伏下游应用领域的市场空间预测
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