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2025-2030年中国盐酸士的宁市场专题研究及市场前景预
2025-06-02
功率半导体黄金赛道：技术迭代×能源革命×国产替代的三重奏
- 2025-05-29 11:11:24上传人：so**e。
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摘要基于Omdia数据，功率分立器件、功率模块市场规模由2023年的357亿美元，萎缩至2024年的323亿美元，近十年年复合增长率为7.14%。广义口径下，2024年全球功率器件（含SiC）规模为530.6亿美元，2020-2024年复合增长率为3.55%。随着第三代半导体材料加速渗透，预计2024-2029年间，全球功率器件有望维持8.43%的年复合增长率至
- 一、全球功率半导体市场：第三代半导体材料维
- 持高增长
- 二、全球功率半导体（分立器件及模块）较为分
- 散，但头部企业仍以外企为主
- 风险提示：宽禁带材料主要应用于高压 、高功率场景 ，主要集中于新能源车 、智能电网等领域 ，下游需求景气度存在波动；功率半导体生产
- 前期投入成本较高 ，需实现一定的规模化；生产设备 、材料对外依赖度仍然较高 ，贸易摩擦或影响产能爬坡；半导体行业周期性下行；政治 、
- 政策不确定性因素及其他宏观因素
- 五、储能及 AI算力中心建设或成为新型功率半导
- 体“增长曲线”
- 六、传统功率二极管陷入“高耐压 vs低损耗”两
- 难
- 三、功率半导体正从“单一器件”向“系统级解
- 决方案”演进
- 四、新能源车打开 IGBT、SiC增长空间，国内车
- 规级半导体市占率有待提升
- 七、超结 (SJ-MOS)、IGBT推动功率 MOS步入高频
- 、耐压、低损耗时代
- 八、IGBT ≈ BJT + 功率MOS，沟槽型 IGBT或成
- 为主流趋势
- 九、宽禁带半导体材料成为高压、大功率、高温
- 的理想材料
- 十、SiC衬底的制备过程
- 十一、SiC外延技术
- 十二：相关公司
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