第四代半导体制备连获突破 氧化镓将与碳化硅直接竞争？

　　我国第四代半导体材料制备近期连续取得突破。

　　3月14日，西安邮电大学宣布，该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓(GaO)外延片；此前在2月底，中国电子科技集团有限公司(中国电科)宣布，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

　　作为备受关注的第四代半导体材料之一，氧化镓目前在部分产品上已有使用，但距离大规模产业化应用尚远。“第四代半导体材料现在的研究成果距离应用落地，我感觉还有5年左右的时间。”国内某第三代半导体材料大厂一位高管对第一财经表示，“不过看用在哪里，光电类的可能会快一些，日盲探测类现在也有产品，只是衬底尺寸很小。”