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中国实现12英寸碳化硅晶圆技术突破 助推全球半导体产业降本增效

报告网讯,:近年来,第三代半导体材料碳化硅因兼具高频、高效与耐高温特性,在新能源汽车、光伏储能等领域应用加速。近期国内科研团队在12英寸碳化硅晶圆加工领域取得关键性进展,通过自主研发的激光剥离设备突破技术瓶颈,标志着中国在半导体核心装备领域实现自主可控,为全球产业链降本增效注入新动能。

一、大尺寸晶圆量产突破重塑行业格局

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Re**忆)

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