存储器发展趋势

　　2020年存储器资本开支同比衰退至少超过15%。在人脑的世界里，海马体是负责存储和学习的，而在计算机里面，存储器就是计算机的“海马体”，可以说，存储器的性能直接影响计算机的综合性能，是不可或缺的那一部分。以下对存储器发展趋势分析。

　　国内闪存NAND大厂长江存储及手机用内存DRAM大厂合肥长鑫的扩产进度及资本开支计划是否造成全球存储器行业的供给过剩，但因为这些国内大厂量产初期，良率不佳，再受到新型冠状病毒影响设备验收及装机，还有设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个世代的差距而造成其品质，规格种类，数量，成本及其价格均不具市场竞争力，所以预估其全球存储器DRAM+NAND半导体市场份额在2022年，不会超过5%。

　　国产存储器占全球市场份额

　　国内存储市场发展迅速，中国是全球最大的存储器消耗锅之一。三星、美光、西部数据和海力士等厂商是存储器市场的佼佼者，近年来，国内存储厂商有崛起的势头，长江存储、晋华、兆易、长鑫和紫光等存储器企业。曙光、浪潮、大华、宇视、联想等都是存储器厂商的大客户。现从三大方向来分析存储器发展趋势。

　　永久性

　　与现有技术相比，所有这些技术都是非易失性的，是DRAM所沒有的重大优势，并且它们都支持原位编程，这使得它们比NAND或NOR闪存的编写速度快得多。

　　可扩展性

　　另一个重要的考虑因素是该技术的可扩展性。某些新型的存储器技术，特别是FRAM和PCM，已经面临挑战。但FRAM还没有成功地在90nm以下成功缩放PCM的“on”电阻会随着单元尺寸的缩小而增加，使得该技术在工艺缩小时面临不少杂音，虽然PCM研究人员在十年前成功就已开发出5nm的单元。氧空缺ReRAM据称在缩放到10nm以下时会遇到问题。Adesto的导电桥技术和Crossbar的纳米导电金属细丝技术预计可以做到10nm以下。

　　工艺复杂性

　　PCM和Crossbar的导电金属细丝存储器在这方面具有优势，因为 它们的选择器元件比其他技术更简单。Crossbar 的选择器包含在位单元内，而PCM在同一方向上使用电流进行置位，复位和读取操作，因此它只需要一个简单的二极管。在这两个中，Crossbar单元的工艺更简单，由于没有选择器元件，它所需的沉积层更少。

　　如今的存储器更小，集成度更高，芯片级存储器层出不穷，随着大数据和人工智能技术的进步，边缘计算成为一种新的需求，对存储器速度要求高了，而且存储器是计算机中数据存放的主要介质，在容量提升的同时，面对存储市场的变化，选择最合适的存储器是很多厂商重点关注的课题。