集成电路封装：走进“芯”时代系列深度之六十七“2.5D/3D封装”：技术发展引领产业变革，向高密度封装时代迈进
- 2023-09-22 10:10:17上传人：So**软妹
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- 先进封装：打破 IC 发展限制，向高密度封装时代迈进
- 技术分析：横向连接 /纵向堆叠奠定先进封装技术基石
- 产业链：材料与设备任重道远，先进封装粲然可观
- 行业现状：制造与 IDM 厂商入驻先进封装，开辟中道工艺
- 应用与需求：芯粒 IP 复用延续摩尔定律，新建晶圆厂与
- 产线扩产共促封测需求
- 相关标的
- 07 风险提示
- 5 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明
- 分目录
- 01 先进封装：打破 IC 发展限制，向高密度封装时代迈进
- • 1.1 封装：保护芯片及确保电路性能
- • 1.2 发展历程：迎来以 3D 封装为代表高密度封装时代
- • 1.3 区别：连接芯片方式划分传统与先进
- • 1.4 工艺流程拆解：以成型为时间点划分封装前后段操作
- • 1.5 传统封装 Vs. 先进封装
- • 1.6 意义：打破存储 /面积 /功能墙等集成电路发展限制
- • 1.7 趋势：各间距持续缩小
- • 1.8 市场
- • 1.8.1 营收逐季改善， 2024 年有望迎来全面反弹
- • 1.8.2 全球集成电路月度销售额拐点出现，有望带动封装市场
- 6 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明
- 分目录
- 02 技术分析：横向连接 /纵向堆叠奠定先进封装技术基石
- • 2.1 倒装
- • 2.1.1 倒装（ FC ） = 贴装 + 引线键合
- • 2.1.2 Bumping 为晶圆制造环节延伸，为 FC 前提
- • 2.2 重新布线层（ RDL ）：改变 IC 线路接点位置
- • 2.3 晶圆级封装（ WLP ）
- • 2.3.1 在晶圆上对芯片进行操作
- • 2.3.2 WLP 依据芯片 /封装大小划分扇入 /出
- • 2.3.3 WLP 依据 Chip/RDL 工艺先后类别进一步划分
- • 2.4 硅通孔（ TSV ）
- • 2.4.1 TSV 贯穿 2.5D/3D 封装
- • 2.4.2 2.5D 封装 TSV 充当多颗裸片和电路板之间桥梁
- • 2.4.3 TSV 在 2.5D 封装中应用实例 —— CoWoS
- • 2.4.4 3D 封装中 TSV 用于堆叠
- • 2.4.5 TSV 在 3D 封装中应用实例 ——HBM
- • 2.4.6 2.5D 封装 Vs.3D 封装
- • 2.5 混合键合（ HB ）
- • 2.5.1 混合键合利用范德华力实现
- • 2.5.2 混合键合应用于 D2W
- • 2.6 四大连接技术对比
- • 2.7 板级埋入式封装：无需 Si 中介层及 TSV 工艺
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- 03 产业链：材料与设备任重道远，先进封装粲然可观
- • 3.1 封装材料：各类半导体封装材料集中度较高，国产替代呈现两极分化
- • 3.1.1 高端基板 :先进封装带动高端基板需求，国产化亟待突破
- • 3.1.2 环氧塑封料 :传统封装中国产化较高，先进封装中外资厂商仍处垄断地位
- • 3.2 封装设备
- • 3.2.1 封装设备：封测设备占比有望提升至 19% ，贴片机为核心设备
- • 3.2.2 先进封装设备：晶圆划片前融入封装工艺步骤，前道设备需求加剧
- • 3.3 先进封装
- • 3.3.1 封装市场有望超 1,300 亿美元，先进封装占比超 50%
- • 3.3.2 2027 年先进封装市场规模有望达 650 亿美元
- • 3.3.3 代工厂抢占先进封装市场份额， 6大厂商加工先进封装晶圆超 80%
- • 3.3.4 OSAT 竞争格局稳定，日月光集团、安靠科技、长电稳居前三甲
- 8 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明
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- 行业现状：制造与 IDM 厂商入驻先进封装，开辟中道工
- 艺
- • 4.1 台积电
- • 4.1.1 前段（ CoW /WoW)+ 后段（ oS /InFO ) = 3D Fabric
- • 4.1.2 SoIC 为先进封装前段工序，由 WoW 及 CoW 技术构成
- • 4.1.3 InFO = 集成 +扇出封装
- • 4.2 三星
- • 4.2.1 I-Cube2.5D=I-Cube S + I-Cube E + H-Cube
- • 4.2.2 通过垂直堆叠方式大幅节省芯片上空间
- • 4.3 Intel
- • 4.3.1 嵌入式多芯片互连桥为 Intel2.5D 封装亮点
- • 4.3.2 Foveros 将不同工艺、结构、用途芯片整合
- • 4.4 日月光集团：扇出型基板上晶片封裝（ FOCoS ）
- • 4.5 安靠科技：深度布局 TSV-less 工艺（ FOWLP,Chip
- last, Die face down ）
- • 4.6 长电科技： TSV-less 路线实现高性价比先进封装
- • 4.7 对比：先进封装领域内国内技术与头部厂商差距较小
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